绝缘层的材料、制备方式、厚度等因素对控制栅极的泄漏电流起着重要的作用,也直接影响到薄膜晶体管的性能。所以对有机薄膜晶体管中绝缘层制备参数的研究具有很重要的意义。本论文主要从三个方面进行了研究:1.绝缘层采用不同材料的有机薄膜晶体管的研究。采用磁控溅射,分别用SiO₂和Si₃N₄两种介质制备厚度均为200nm的绝缘层。器件有源层材料均为40nm的并五苯。可以发现,与SiO₂相比较,Si₃N₄用做绝缘层的器件,虽然饱和输出电流略小,但是绝缘性能更好。2.绝缘层采用不同制备方式的有机薄膜晶体管的研究。分别用磁控溅射和电子束,以SiO₂为材料,制备了厚度均为200nm的绝缘层。器件有源层材料均为40nm的并五苯。电子束直接蒸镀材料制备SiO₂薄膜,纯净度较高,而溅射所制备的薄膜中有较多缺陷的存在,成为诱导产生隧穿通路的因素。磁控溅射制备的SiO₂薄膜绝缘性能不如电子束。3.绝缘层采用不同厚度的有机薄膜晶体管的研究。分别用磁控溅射和电子束,进行了两组实验。每组实验中,以SiO₂为材料,制备了厚度分别为150nm/200nm/250nm的绝缘层。发现,无论是采用电子束还是磁控溅射制备的绝缘层,随着绝缘层厚度的增加,栅的漏电流减小,绝缘层的绝缘性能更好。最后,作为一个新的尝试,以传统的底栅顶接触的器件层次结构,制备了沟道为圆形的有机薄膜晶体管。通过测试其性格,发现:圆形沟道器件阈值电压稍大于直线沟道器件,但是其场效应迁移率要大于直线沟道器件,其具有更陡峭的输出特性曲线,并且饱和时能够输出更大的电流。