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1.用导纳谱的方法研究了GeSi双层量子点的耦合效应对库仑荷电作用的影响。由于双层量子点间的耦合效应和间隔层厚度有关，所以我们对三块不同间隔层厚度的样品进行导纳谱测试。通过改变不同的反向偏压，可以得到量子点中的能级分布；对得到的能级进行分析，找出耦合效应对库仑荷电作用的影响：随着间隔层厚度减小，耦合效应的增强使得量子点中的空间限制效应减弱，表现在库仑荷电能的减小。
2.通过对导纳谱测试多频和单频两种处理方法的结果进行比较，分析各自的优缺点，并找出两者产生差别的原因主要是来自于肖特基势垒或是缺陷、杂质等漏电流产生的附加电导。针对性这种情况，我们给出扣除附加电导影响的方法，使得单频和多频的处理结果一致，并通过理论模拟加以证明。