【摘 要】
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掺杂ZnO透明导电薄膜是可能替代In2O3:Sn (ITO)薄膜的最理想材料之一在液晶显示器、太阳能电池、热反射镜、电磁屏蔽和特殊功能窗口涂层等领域得到广泛应用。本论文研究不同掺杂元素和掺杂量的ZnO陶瓷靶材制备工艺和物理性能对形成透明导电薄膜的影响。采用传统的电子陶瓷工艺自制掺杂ZnO：X(X=A1、Ga、B)陶瓷靶材,对掺杂ZnO靶材的物理性能和微观结构进行了表征。使用不同靶材进行磁控溅射镀膜
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掺杂ZnO透明导电薄膜是可能替代In2O3:Sn (ITO)薄膜的最理想材料之一在液晶显示器、太阳能电池、热反射镜、电磁屏蔽和特殊功能窗口涂层等领域得到广泛应用。本论文研究不同掺杂元素和掺杂量的ZnO陶瓷靶材制备工艺和物理性能对形成透明导电薄膜的影响。采用传统的电子陶瓷工艺自制掺杂ZnO：X(X=A1、Ga、B)陶瓷靶材,对掺杂ZnO靶材的物理性能和微观结构进行了表征。使用不同靶材进行磁控溅射镀膜,研究了溅射工艺参数对掺杂ZnO薄膜微观结构、薄膜组分和光电性能的影响,解释了相关的机理,取得了一些有价
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