由于独特的电磁和物理化学特性,纳米级金属体系结构在电子,Micro-Electro-Mechanical System（MEMS）设备、诊断、生物传感、光谱学和显微镜学领域越来越受到关注。在不同的自组织外延生长方法中,液滴外延生长的显着优势是它的灵活性,因为它既适用于晶格不匹配的系统,又适用于晶格匹配的系统。自Koguchi等人的初期工作以来,在Ⅲ-Ⅴ族半导体上观察到了各种点状、环状、和孔状纳米结构。绝大部分先前已发表的工作都涉及由镓（Ga）或铟（In）液滴形成纳米结构,Al液滴扩散行为的研究鲜有报道,扩散过程中所形成得纳米结构的研究不仅将丰富我们对Ⅲ族液滴外延的知识,并有助于理解液滴外延生长的机理,铝是Ⅲ族金属中化学反应最强的元素,因此也会有相应独特的纳米结构产生。本文通过控制变量法,通过改变放置时间、砷压、衬底温度、源沉积速率的其中一个条件,对Al液滴在GaAs表面扩散行为的探究。（1）其它参数保持不变,通过改变在零砷压下的液滴放置时间（0s,120s,300s,420s,600s）观察Al液滴形貌变化。利用计算结果与实验结果进行分析后发现:在t=239 s时液滴熟化与扩散行为达到平衡,t=575 s为液滴消耗所需总时间,此时液滴高度下降,Al液滴向外的横向扩散转变为向下刻蚀衬底;（2）其它参数保持不变,通过改变衬底温度（480℃、510℃、540℃）观察Al液滴形貌变化。随着衬底温度升高,液滴密度逐渐减小,而液滴的尺寸与高度逐渐增大。还发现液滴液径与高度的比值随着温度的增加而减小,这表明相较于液滴扩散的各向异性,衬底温度对Al液滴在平面内的扩散影响更大;（3）其它参数保持不变,通过改变沉积速率（0.1 ML/s,0.17 ML/s,0.3 ML/s）观察Al液滴形貌变化,并详细分析了液滴的成核过程。在沉积量一定的情况下,液滴密度随着沉积速率的增大而增大,尺寸随着沉积速率的增大而减小。结合衬底温度对形成Al液滴的影响,通过拟合关系曲线得到Al液滴密度与衬底温度和液滴沉积速率的具体关系式:n_x=0.385×R^0.636×exp(2.58×10^-19/kT)。