本文研究了一些方法来改善样品吸附空气对二次离子质谱仪(SIMS)定量分析C、H、O的影响以及研究了SIMS同时分析元素数量的多少对SIMS定量分析C、H、O元素的影响,进而达到提高SIMS定量分析C、H、O的准确性的目的；并利用SIMS研究了MOCVD的生长条件(NH3流量大小)对GaN材料以及AlN材料中C、H、O污染的影响,此外,本文还利用SIMS研究了本实验的Si衬底上缓冲层(AIN、 AlGaN)中C、H、O元素分布的均匀性,为本实验室MOCVD生长外延提供可靠的参考依据。获得了以下研究成果：(1)将样品置于SIMS样品仓中抽真空,伴随抽真空的时间越长,样品吸附的空气对SIMS定量分析C、H、O元素的影响越小,直至完全排除该影响(这个过程耗时较久)；通过在SIMS的液氮冷阱中加入液氮来克服样品吸附空气对SIMS定量分析C、H、O元素的能力是有限的,但是其可以辅助前者,减少抽真空所需要的时间,提高效率。(2) SIMS同时测试分析的元素越少的时候,所得到C、H、O元素的SIMS曲线的深度分辨率较高。(3)GaN材料中含C量(C污染)随着氨气流量的增加而不断减少,成幂函数关系：GaN材料中含H以及含O杂质在氨气流量增大的过程中无明显变化； GaN材料的生长速率伴随着氨气流量的增加而变慢。(4)AlN材料中含C量(C污染)随着氨气流量的增加不断增加,和GaN材料中含C量与氨气流量的关系完全相反；AlN材料中的含H杂质以及含O杂质也是伴随着氨气流量的增加而不断增加,与GaN材料中含H及含O杂质与氨气流量的关系也是有着较为明显差异的。(5)在Si衬底上生长的缓冲层(AIN、AlGaN)中的C、H元素分布极其均匀,其中O元素的分布均匀性相对来说比较差。