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目的：以过氧化氢损伤HLE B-3细胞为氧化应激损伤的模型，观察氯通道阻断剂DIDS和NPPB对氧化应激诱导的晶状体上皮细胞HLE-B3损伤的影响,并通过细胞容积调节的角度初步探讨氯通道阻断剂对氧化应激下HLE B-3保护的作用途径及其相关的分子机制。材料和方法：1. Image-Pro Plus6.0图像分析软件控制下实现时滞拍摄固定视野内活细胞图像分析HLE B-3在低渗刺激下细胞容积的改变，并通过细胞外溶液氯离子置换和氯通道阻断剂干预的方式阐明氯通道在RVD中所起到的作用。2. HLE-B3氧化应激损伤模型的建立及氯通道阻断剂保护作用的观察，外源性500μmol/L过氧化氢（H2O2）作用于HLE B-3细胞，细胞外溶液氯离子置换及氯通道阻断剂（NPPB、DIDS）梯度浓度作用于氧化应激下HLE B-3细胞，通过光镜和吖啶橙/溴化乙锭（AO/EB）荧光染色观察细胞形态学及和核形态改变、MTT法检测细胞生存力、流式细胞术检测细胞凋亡率。3.观察氧化应激下HLE B-3细胞凋亡及凋亡性细胞回缩的变化和氯通道阻断剂（NPPB、DIDS）干预的影响。在500μmol/L H2O2作用于HLE B-3细胞的6h内，通过MTT法检测细胞生存力，Caspase-3活性检测及Western Blot法检测Caspase-3表达水平、DNA琼脂糖电泳分析、和Image-Pro Plus6.0图像分析软件控制下实现时滞拍摄固定视野内活细胞图像，分析细胞凋亡、Caspase-3表达变化及细胞容积的动态变化。结果：1.在低渗细胞外灌流液作用下，HLE B-3细胞的容积胀大且呈渗透压相关性，同时调节性容积回缩（RVD）能力增强。通过硝酸根离子取代灌流液中的氯离子方式耗竭细胞内氯离子，这时观察到RVD消失，而用氯通道阻断剂也可以得到相似结果。2.采用不同浓度的氯通道阻断剂NPPB或DIDS干预下，细胞存活率呈药物剂量依赖性升高，其中100μmol/L，200μmol/L这两个浓度NPPB和DIDS干预组细胞存活率与H2O2处理组相比较，差异存在显著性（n＝5，P<0.01）。氯通道阻断剂NPPB(100mol/L)及DIDS(100mol/L)皆可显著抑制H2O2诱导的HLE-B3细胞凋亡及细胞容积减少，氧化应激诱导细胞6h后，测得细胞凋亡率为（72.06士2.73）%，加用NPPB及DIDS后，凋亡率则将为（20.78士2.62）%和（15.83士2.57）%。3.氧化应激诱导的细胞凋亡早期即可观察到细胞容积减小。在连续观察的6h中，细胞容积逐渐减小，6h末细胞容积减少(26.98士2.35)%。氯通道阻断剂NPPB(100moL/L)及DIDS(100moL/L)显著抑制氧化应激诱导的凋亡相关性容积减小，分别为(6.81士0.57)%和(7.03士0.67)％。结论：1. Cl是HLE B-3细胞调节性容积回缩（RVD）的关键性离子，Cl分泌是实现RVD的关键因素，氯通道阻断剂阻断氯通道，几乎完全或大部分阻断RVD，表明氯通道开放是HLE B-3细胞分泌Cl，实现RVD的关键途径。2.氯通道阻断剂NPPB和DIDS对氧化应激诱导的HLE-B3细胞凋亡具有明显的保护作用，其机制可能与抑制细胞凋亡过程中的异常的容积回缩有关。3.氯通道介导的凋亡相关性细胞容积回缩发生是一个早于Caspase-3活性增强及DNA断裂的细胞凋亡事件。氯通道参与H2O2诱导的HLE B-3细胞凋亡，机制与其介导凋亡性容积回缩有关。