宽场高时间分辨率荧光寿命图像传感器的研究

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荧光寿命成像检测技术是一项非常重要的技术,在生物物理、生物化学、临床医学等领域都有非常广泛的研究。荧光寿命成像不会受到荧光染料的分布浓度、样品猝灭等因素的影响,只跟荧光团所处的微环境有关,多用于细胞的病变检测中。   本文介绍了荧光寿命成像的技术原理和实现途径,荧光寿命成像的主要研究热点主要是针对三维成像、时间分辨率和成像速度的提高。本设计提出应用于荧光寿命成像的图像传感器像素单元结构,缩短荧光的采集时间,提高时间分辨率。本设计基于光电二极管的工作原理,PPD结构对光子的吸收效率的增加,提高了荧光寿命成像的时间分辨率。对PPD结构进行数学建模,用matlab软件对PPD结构的光响应进行仿真,得到PPD结构提高了短波长的响应率,适用于本设计中460nm荧光的照射。改进的像素单元中,感光器件为PPD和普通光电二极管两部分。使用cadence软件对像素单元进行瞬态仿真。计算求得该CMOS图像传感器的动态范围为159dB,灵敏度为0.5357μV/e-,相对传统的像素单元动态范围扩大了30.3%。得到改进的像素单元确实改善了光电流与输出电压之间的关系,提高了荧光寿命成像的成像速度。当荧光团强度较弱时,其发射的荧光信号很微弱,采用去噪电路来去除噪声,降低噪声对有用信号的干扰。
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