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具有纤锌矿结构的ZnO薄膜是一种性能优良的半导体光电器件材料,它在室温下具有较大的禁带宽度和激子束缚能,是一种具有很大潜力和应用价值的紫外发射材料,多年来一直受到物理、化学、材料、和微电子等研究领域的重视。近年来,人们通过研究发现,在ZnO半导体薄膜材料中掺入3d磁性过渡族金属离子,利用载流子控制技术可使其成为稀磁半导体新型功能材料。目前,ZnO稀磁半导体材料的研究在国际上已受到高度关注,而此项研究在国内则尚处于初始阶段,针对于目前大部分文献及报道集中在磁性研究这一现状,本论文系统研究了ZnO:V和