随着集成电路的发展,片上系统(System on chip,SOC)得到越来越多的应用,而作为片上系统的重要模块,电源管理电路是必不可少的。低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)和上电复位电路(Power On Reset,POR)作为电源管理电路中的重要模块,被广泛应用到各种电路中。本文首先介绍了LDO电路和POR电路的原理和性能参数,之后,采用Global Foundries 0.13μm SiGe BiCMOS工艺进行了LDO电路和POR电路的结构设计,并给出前仿真结果。然后,介绍LDO电路和POR电路版图的绘制,给出后仿真结果。最后,对前后仿真结果进行对比分析。LDO电路的后仿真结果表明,电路的工作电流可以从0mA到30mA,输入电压从2V变化到3.3V时,输出电压为1.8V,线性调整率为0.205%,负载调整率为0.648%,工作温度范围从-40℃到125℃,LDO电路的静态电流为74.6μA。POR电路的后仿真结果表明,电路的欠压检测电压为0.53V,能够满足长电源上升时间的要求,电路的静态电流为37.5nA。