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光泵浦有机半导体激光器件具有宽的增益谱、低阈值和低成本等优势,其研究得到了快速发展。而分布反馈结构被认为是最有利于降低激光阈值的器件结构。制作分布反馈有机激光器的方法有多种,如刻蚀、纳米压印及光致异构化等,但大多存在工艺复杂、灵活性差和参数可控性差等缺点,限制了有机激光器的进一步应用。为了解决上述问题,采用激光烧蚀的方法结合激光全息技术,直接在高分子聚合物MEH-PPV薄膜表面烧蚀一维光栅结构,制备了分布反馈式有机激光器。这一方法具有工艺简单、光栅参数的可控性和重复性好等优点。采用Glass/MEH-PPV(400nm)器件的结构,利用波长为355nm的Nd-YAG纳秒激光器进行单脉冲烧蚀,获得的光栅周期和光栅高度分别为370nm和100nm,利用飞秒激光放大器作为泵浦源激射DFB激光器件,得到激射阈值约为182μJ.cm-2.pulse-1,光谱的波峰约在609nm处,半高宽为4.2nm。激光输出通过改变两光束的夹角获得了周期为360rm,370nm,380nm和390nm的光栅,其对应的激光波峰分别为602.91nm,609.24nm,613.26nm和619.01nm。为了降低一维DFB激光器件的阈值,在玻璃基底和有机发光层MEH-PPV之间蒸镀一层厚度为25nm的银膜层,此时器件的结构为Glass/Ag(25nm)/MEH-PPV(400nm)。测得周期为370nm带银膜的一维DFB激光器件的阈值为33μJ/cm2/pulse,光谱的峰值约在615nm,半高宽为9nm,与无银膜的一维DFB激光器件相比较阈值降低了大约80%。器件中的表面等离子体模式与光波导模式产生杂化耦合使分布的场强度增强,这是有银膜一维DFB激光器件阈值降低的主要原因。采用时域有限差分法(FDTD)对器件的场分布进行理论模拟计算得出两种模式杂化的结论与实验的结果一致。为了进一步降低带银膜的一维DFB激光器件的闽值,将二维光栅结构引入到器件中来取代一维光栅的结构。测得周期为370nm带银膜的二维DFB激光器件的阈值6.3μJ/cm2pulse,光谱的峰值约在619nm,半高宽为5nm。与一维DFB激光器件相比较阈值又降低了约81%,主要原因是带银膜的二维DFB激光器件中有两个反馈截面XY和XZ,TE模式和TM模式同时存在其中,且TE模式中也能激发出表面等离子体,而带银膜的一维光栅DFB激光器件中只有一个反馈截面XY,只存在TM模式,TE模式不能激发出表面等离子体。相同周期的二维带银膜比不带银膜DFB激光器件的阈值小,其原因也是引入了表面等离子体模式。理论结果和实验表明,利用激光双干涉烧蚀技术制备一维光栅和二维光栅结构,并把表面等离子体模式引入到器件中,使表面等离子体模式和光波导模式产生杂化耦合,优化了DFB激光器件的性能,为以后研究有机电泵浦激光器件打下坚实的基础。