近年来,以SiC为代表的宽禁带半导体器件受到了各界的广泛关注并成为研究热点。其中,SiCMOSFET以其高压、高频及高温的特性成为高功率密度电力电子应用场合的首选,本文主要分析了1200V/660ASiCMOSFET模块的封装结构和电路参数对模块的热力特性、寄生参数及开关特性等方面的影响,并对SiCMOSFET模块的结构设计提供可行的参考。首先,本文介绍了SiCMOSFET模块的构成,在分析现有商用模块DBC布局的基础上,提出了一种改进的DBC布局结构,该结构不仅布局紧凑,减小了功率回路的面积,并嵌入了解耦电容,用以减小开关过程中产生的电流、电压尖峰,此外,在模块中还加入了开尔文源极结构,将功率回路和栅极回路分开以减小两者之间的耦合。其次,利用所建立的有限元封装结构模型,从DBC衬板、焊料层、基板等主要结构的厚度和材料以及芯片布局对SiCMOSFET模块热力特性的影响进行分析,为模块的结构优化提供参考;利用电磁仿真软件对改进的SiCMOSFET模块寄生参数进行提取,分析不同位置的寄生电感、电容对开关特性的影响;基于SiCMOSFET模块多芯片并联布局结构中出现的不均流现象进行了改进,通过改变不同支路源极键合线的长度来实现不同支路总寄生电感相等,从而达到均流的效果。最后,针对实际工况中可能出现的可靠性问题,进行了温度循环和功率循环的仿真测试,分析应力应变对焊料层和键合线的影响,同时对比了商用模块和改进后模块的应力、应变分布,为SiCMOSFET模块的封装结构设计提出了改进方法,对提高SiCMOSFET模块的质量具有参考意义和应用价值。