大功率电力电子器件是电动汽车逆变器的核心部件,极大地影响着电动汽车的动力性能和续航里程。基于第三代半导体材料SiC的功率半导体器件具有低导通电阻、高工作电压、高开关频率和高工作温度的优点,能显著提高电力电子系统的效率和功率密度,简化冷却系统机构和缩小装置体积,可以有效助力高性能车用电驱动系统开发。受制于SiC衬底的缺陷和芯片制造工艺,商用单颗SiC MOSFET芯片电流等级多为100A以下,为了满足电动汽车大功率驱动系统的使用需求,将多颗SiC MOSFET芯片并联封装为一个功率模块是目前主流的解决方案。因为芯片布局不对称会引起芯片间电流不均匀,这会导致SiC MOSFET芯片和功率模块出现过电压、过电流、高温甚至损坏的情况。因此,研究SiC功率模块内部并联多颗芯片的均流影响因素和均流优化方法对提高SiC功率模块的性能和可靠性有重要意义。本文针对高性能多芯片并联大功率SiC功率模块的研究需求,系统分析了并联芯片的均流影响因素并提出优化方案提高了均流效果。首先,分析了均流影响因素。建立三颗SiC MOSFET芯片并联电路模型,结合理论和仿真分析,系统地研究了芯片栅极在开尔文连接和共源极连接时封装寄生电感对三颗芯片并联均流的影响,并揭示了两种连接方式下源极电感对均流的作用机制,为后文的均流优化奠定了基础。接着,研究了寄生电感的计算方法。基于本文设计的SiC功率模块,在计及DBC公共电感耦合效应时计算了三条并联支路的等效源极寄生电感,电流仿真结果显示并联芯片的等效源极电感差异会引起严重的电流不均匀现象;使用响应面法分析了键合线和DBC封装设计参数对寄生电感的影响规律,并获得了寄生电感的计算模型。然后,提出了优化方案消除寄生电感差异。基于等效源极寄生电感计算模型,理论分析了均流的优化方向并提出了一个新的优化效果评价指标,该指标可实现并联支路的源极寄生电感平均值和差值的同时优化;在只调整键合线长度方案的基础上,提出了一种同时优化键合线长度和DBC布局的方法来更好地均衡电感,使用响应面法和粒子群优化算法获得了两种优化方案的最优设计,并对比了两个方案的寄生电感改善效果。最后是优化验证。首先通过Ltspice双脉冲仿真对比了两种优化方案的均流改善效果;设计制造了三款实验样品,通过测量样品的寄生电感验证了本文提出的评价指标和优化方案具有更好的寄生电感和均流优化效果。