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铸魂固本强党建 奋楫扬帆破浪行
【出 处】
:
长治日报
【发表日期】
:
2020年01期
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短波红外(SWIR,short-wave infrared)的波长覆盖范围为1~3μm,处在红外波段中的反射波段。相比于中长波热成像,短波红外能够反映更多的物体细节,方便检测与识别;相比可见光,短波红外在穿透云雾、烟尘等有着出色的表现。短波红外因其独特的成像特点,在弱光成像、着火点检测、环境检测、矿藏探测、半导体检测、农作物检测、生物成像等领域有着广泛的应用前景,因此针对短波红外成像技术的研究具有
多光谱和偏振成像是目前和下一代红外相机的发展重点,与单纯利用光强度信息成像相比,窄带、多光谱成像和偏振成像能够提供更丰富的目标信息(光谱信息和偏振信息),能够确定目标的绝对温度,从而降低相机对大气条件的敏感度。多个相邻光谱通道的组合有利于复杂环境中掩埋目标的探测,人工目标(如金属或玻璃)通常具有与自然目标不同的偏振特性,获取偏振信息能够帮助人们有效识别人造物体,因此是提高识别效率和减少误报警的重要
自2002年,太赫兹量子级联激光器(Terahertz Quantum Cascade Laser,THz-QCL)问世以来,由于其能量转换率高、紧凑、轻便、易于集成等优点,成为了THz辐射源研究领域中的焦点。经过近20年的发展,THz-QCL在输出功率、最高工作温度、远场光斑、单模性质以及调谐范围等性能上得到了很大的提高。这些进步不仅得益于量子级联有源区的设计和外延生长技术的提高,同时也得益于人
随着红外成像技术的不断发展,红外成像系统现已具有探测距离远,探测灵敏度高,抗干扰能力强,可全天时工作等优点,在工业,安防及国防领域发挥了重要作用。在红外成像系统中,红外目标的检测与识别算法扮演了重要角色。近年来,国产处理器蓬勃发展,但其种类与性能依然与世界先进水平存在一定差距,因此,本文立足于现有国产处理器平台,围绕复杂背景下红外目标检测的客观难点,提出了一种可扩展的异构计算框架,并设计了对应的红
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随着深空探测活动的增加,传统的微波通信技术已满足不了未来深空探测中超大数据量的传输需求。而深空光通信技术是未来深空探测中实现大容量、高速率数据传输的关键技术,是未来深空测控通信的发展方向。大力发展深空光通信技术,将极大的推进未来的深空探测活动,有助于人类进一步了解宇宙奥秘、探索生命起源和利用太空资源。由于深空信道距离远、链路衰减大,需要高灵敏度的单光子探测技术、高效的调制及纠错编码技术。本文首先介
碲镉汞(HgCdTe,MCT)材料具有带隙可调、高量子效率等诸多优点,是红外光电探测器制备的主流材料。高背景环境下,MCT红外探测器的背景电流可能大于探测目标的信号电流。探测器的高背景电流和暗电流会导致读出电路中积分电容过快饱和,降低焦平面的信噪比和有效动态范围。MCT红外探测器的暗电流反映探测器的本质特征参数,暗电流会随着光敏元的面积变大而不断增大。暗电流会影响探测器的噪声,降低MCT红外探测器
Cd3As2和HgTe都是半金属材料,都具有反转的能带结构。根据理论预言,通过施加应变、降低薄膜厚度以及磁性掺杂等手段,可以将这两种材料变成拓扑绝缘体和Weyl半金属;此外它们还具有超高的电子迁移率,这在器件方面有潜在的应用前景,因此HgTe和Cd3As2材料在实验上都受到人们的广泛关注。我们通过分子束外延技术得到Cd3As2材料可以为后续的研究工作提供材料基础;同时Cd3As2薄膜的能带结构还没
低维材料在某一维度达到了纳米尺寸,具有不同于传统体材料的特异性质,这类材料在新一代电学器件、光电探测器、电催化以及生物可穿戴等多方面具有潜在的应用前景。在低维度领域,半导体的能带与尺寸具有明显的相关性,比如二维半导体禁带宽度随着厚度的减薄而增大,甚至可以从间接带隙变为直接带隙。根据半导体能带理论,一般把禁带宽度小于载流子室温热能(k T)的十倍(约0.26e V)的低维材料称为低维窄禁带半导体,这