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本文叙述了 Hg 敏化光化学气相淀积薄膜的方法,研究了制备 SiO2薄膜的最佳工艺条件。结果表明,当衬底温度约 200℃,而淀积时间、反应室总压力和气体流量分别在30—50min、30—50Pa 和300—500 Sccm 范围内选取时,可得到最佳的薄膜。
Hg敏化光CVD SiO2薄膜最佳工艺条件的研究
【摘 要】
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本文叙述了 Hg 敏化光化学气相淀积薄膜的方法,研究了制备 SiO2薄膜的最佳工艺条件。结果表明,当衬底温度约 200℃,而淀积时间、反应室总压力和气体流量分别在30—50min、30
【机 构】
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西安电子科技大学物理系;西安电子科技大学西安市710071;
【出 处】
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材料科学进展
【发表日期】
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1991年02期
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