【摘 要】
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用第一性原理非平衡格林函数方法研究了O原子掺杂zigzag型硼氮窄纳米带（z-BNNNRs）的能带结构和电子输运特性.研究结果表明：O原子对N原子的替代掺杂使z-BNNNRs的能带结构出现明显
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用第一性原理非平衡格林函数方法研究了O原子掺杂zigzag型硼氮窄纳米带（z-BNNNRs）的能带结构和电子输运特性.研究结果表明：O原子对N原子的替代掺杂使z-BNNNRs的能带结构出现明显变化,体系由半导体转变为金属;O掺杂明显地改变了z-BNNNRs体系的导电性能,在一定的偏压范围内产生明显的负微分电阻（NDR）现象,边缘掺杂比中间掺杂产生更大的负微分电导,进一步的输运性质计算给出的透射谱也印证了这一点.随着掺杂浓度的增加,负微分电导的极值也随之增大.
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