粒状氮化镓微晶的合成及其结构性能的研究

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hzqingqingcao

【摘要】

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在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓(GaO2H)粉末与流动的NH3反应35min制备出粒状GaN微晶。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,

【作者】

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肖洪地马洪磊薛成山胡文容马瑾宗福建张锡健

【机构】

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山东大学,山东大学,山东师范大学半导体研究所,山东大学,山东大学,山东大学,山东大学山东济南250100,山东济南250100,山东济南250014,山东济南250100,山东济南250100,山东

【出处】

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稀有金属材料与工程

【发表日期】

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2005年09期

【关键词】

：

GaO2H粉末粒状GaN微晶氮化温度

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在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓(GaO2H)粉末与流动的NH3反应35min制备出粒状GaN微晶。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191nm和0.5192nm。X射线光电子能谱(XPS)揭示试样中有Ga-N键形成,Ga与N两元素比为1∶1。

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