【摘 要】
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基于原子发射光谱双谱线法测温原理,对半导体桥（SCB）等离子体温度进行实时瞬态测定;实验研究了放电脉冲条件下等离子体温度的变化规律及不同脉冲能量对等离子体温度的影响。结
【机 构】
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巢湖学院化学与材料科学系,南京理工大学化工学院
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基于原子发射光谱双谱线法测温原理,对半导体桥（SCB）等离子体温度进行实时瞬态测定;实验研究了放电脉冲条件下等离子体温度的变化规律及不同脉冲能量对等离子体温度的影响。结果表明：充电电容为22μF,初始放电电压由21 V增大到63 V,等离子体峰值温度由2 000 K上升至6 200 K;放电电压为39 V,充电电容由6.8μF改变至100μF时,等离子体峰值温度在2 200 K～3 800 K范围内呈上升趋势;等离子体后期放电开始时,SCB上所消耗的能量在不同放电条件下基本恒定,其等离子体温度值变化不大;
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