PECVD法低温制备微晶硅薄膜的晶化控制

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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上低温制备了微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼(Raman)散射谱、原子力显微镜(AFM)研究了H2稀释、衬底温度、射频功率等对薄膜晶化的影响。研究结果表明,当H2稀释比从95%升高到99%、衬底温度从200℃逐渐升高到400℃、硅膜的晶化率逐渐提高,结构逐渐由非晶向微晶转变,射频功率对薄膜晶化的影响有一最优值。 Microcrystalline silicon (μc-Si: H) thin films were prepared on glass substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The effects of H2 dilution, substrate temperature and RF power on the crystallization of thin films were investigated by Raman scattering spectroscopy and atomic force microscopy (AFM). The results show that when the H2 dilution ratio increases from 95% to 99%, the substrate temperature gradually increases from 200 ℃ to 400 ℃, the crystallization rate of the silicon film gradually increases, and the structure gradually changes from amorphous to microcrystalline. The effect of power on film crystallization has an optimal value.
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