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随着社会的发展和科学技术的进步,电子设备和仪器越来越趋向精密化、小型化和高性能化,而效能提升随即带来对导热散热的高需求。其中,碳化硅(SiC)由于具有良好的耐磨性、高温力学性、抗氧化性、宽带隙等特性,在半导体、核能、国防及空间技术等高科技领域具有广阔的应用前景。除此之外,SiC具有的高导热系数奠定了其在第三代半导体材料中的地位,促进了其在新一代芯片技术和导热散热技术领域的推广应用。本综述对SiC的晶体结构、导热机理和影响其导热性的多型体、二次相、晶体尺寸、孔隙率、温度等因素进行了分析,并讨论了SiC掺杂对