论文部分内容阅读
为简单快速模拟静态随机存储器（SRAM）~单粒子效应，在二维器件数值模拟的基础上，以经典的双指数模型为原型，通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式，考虑晶体管偏压对瞬态电流的影响，得到修正的瞬态电流表达式，将其带入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟，通过与实际单粒子实验结果的对比，验证了这种模拟方法的实用性。