金属与硼硅玻璃场致扩散连接形成机理

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以固体电解质硼硅玻璃与单晶硅和铝的连接为例,研究了玻璃—金属FDB连接过渡区的微观组织特征,分析了连接形成机理及主要工艺参数对连接过程的影响。提出了金属—氧化物过渡层—玻璃的接头结构形式及静电场条件下离子扩散及接合模型。测试采用SEM及超轻元素EDX、XRD;试验采用专用键接焊机;工艺参数电压400~800V,外压力0.05~1MPa,温度250~400℃。研究认为,金属/玻璃的界面接合成因于玻璃中负氧离子的扩散及界面复合氧化物的沉积形成。电压、温度、外压力及试件表面状态均是离子迁移和接合的主要影响
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