【摘 要】
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本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEc(Light Energy converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布.实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直
【机 构】
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河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130
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本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEc(Light Energy converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布.实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成W型分布,中心区域比较高,靠近中间区域最低,边缘区域最高.EL2是GaAs晶体中过量As存在的一种形式,其浓度强烈依赖过量As的浓度.晶体生长后的冷却过程中热应变场对过量As的分布会造成一定影响,同时位错密度的分布也会影响过量砷的分布,也就影响深施主缺陷EL2浓度的分布.
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