【摘 要】
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采用电子顺磁共振(ESR)技术, 研究了非骨架铝在H-MCM-22分子筛上V中心产生过程中的作用. 实验结果表明, H-MCM-22分子筛经过高温处理后, 产生一组六重超精细分裂信号(A), 该
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采用电子顺磁共振(ESR)技术, 研究了非骨架铝在H-MCM-22分子筛上V中心产生过程中的作用. 实验结果表明, H-MCM-22分子筛经过高温处理后, 产生一组六重超精细分裂信号(A), 该顺磁信号归属为V中心. 超精细分裂, 是由于与骨架铝相连的氧上的电子空穴与骨架铝相互作用的结果; 分裂信号的产生与温度有关, 其强度随着温度升高而增强. 不同晶体尺寸的H-ZSM-5分子筛的ESR实验证实, 容易形成非骨架铝的分子筛易形成V中心, 它产生于已经脱铝的分子筛或伴随着脱铝而产生, 非骨架铝的空轨道为电子
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