当今，最先进的芯片上集成晶体管的数目已接近10¹²数量级，这就说明IT的原动力半导体技术，也可以说就是MOS技术的重要性。
　　近年来，随着材料科学的进步，理论和实验两方面对半导体材料中输运现象的研究成果已有一定积累，有关半导体异质结构中电子态、极化子的结合能、振动频率等物理量随压力的变化等研究也在不断深入，HOltz，Ban等人都对这一问题进行过讨论，但对MOsFET异质结中电子迁移率的压力效应的研究还鲜有报道。