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本文制备并研究了ZrO2纳米晶基电荷俘获型存储器的电学性能。我们发现,通过高温退火处理,ZrO2纳米晶从非晶母相中析出,被母相所包围,从而起到存储媒介的作用。不同温度（25℃,85℃和150℃）下,经过105次写入擦除操作的器件的电荷损失量分别为6.6%,8.3%和12%（保持时间为4×104s）。