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文中讲述了一种通过改进高压PMOS源漏极轻掺杂扩散结构(LDD),来提升高压PMOS的漏极击穿电压的工艺改进方法,并且该工艺改进不影响其他器件性能。分析了工艺改进提升漏极击穿电压的机制。
提升HV PMOS漏极击穿电压的工艺改进方法
【摘 要】
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文中讲述了一种通过改进高压PMOS源漏极轻掺杂扩散结构(LDD),来提升高压PMOS的漏极击穿电压的工艺改进方法,并且该工艺改进不影响其他器件性能。分析了工艺改进提升漏极击穿
【机 构】
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冠捷半导体上海有限公司工艺开发部
【出 处】
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电子科技
【发表日期】
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2008年12期
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