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重掺砷硅单晶中痕量硼的二次离子质谱定量分析
重掺砷硅单晶中痕量硼的二次离子质谱定量分析
来源 :复旦学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:acy333
【摘 要】
:
重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的,因无法用常规的红外光谱法测试,于是转而使用二次离子质谱法来测试. 虽然二次离子发射机理复杂,基体效应明显,但通过相对灵敏度
【作 者】
:
王铮
曹永明
方培源
王家楫
【机 构】
:
复旦大学
【出 处】
:
复旦学报(自然科学版)
【发表日期】
:
2003年6期
【关键词】
:
红外吸收光谱法
相对灵敏度因子法
重掺砷硅单晶
二次离子质谱
硼
硅材料
IR-absorption spectrometry
relative sensit
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重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的,因无法用常规的红外光谱法测试,于是转而使用二次离子质谱法来测试. 虽然二次离子发射机理复杂,基体效应明显,但通过相对灵敏度因子法,还是能够比较精确地给出定量测试结果,解决重掺砷硅单晶中硼杂质的定量检测问题,进而为控制硼含量提供了依据和帮助.
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