砷化镓基系Ⅲ-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(8)

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【摘要】

：

<正>4 Ⅲ-V族化合物电池研发的新动向4.1含Ga In NAs(Sb)晶格匹配的三~五结叠层聚光电池前文介绍在研发与Ga As晶格匹配的1 e V带隙的Ga In NAs材料时遇到了困难,这一问题在2

【作者】

：

向贤碧廖显伯

【机构】

：

中国科学院半导体研究所,

【出处】

：

太阳能

【发表日期】

：

2016年01期

【关键词】

：

叠层电池化合物半导体太阳电池砷化镓短路电流密度叠层太阳电池发展和应用

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<正>4 Ⅲ-V族化合物电池研发的新动向4.1含Ga In NAs(Sb)晶格匹配的三~五结叠层聚光电池前文介绍在研发与Ga As晶格匹配的1 e V带隙的Ga In NAs材料时遇到了困难,这一问题在2011年终于取得了突破。据Solar Junction公司报道,他们制备了高质量的稀N含量Ga In NAs(Sb)分子束外延材料,并成功研制了Ga In P/Ga As/Ga In NAs(Sb)三结叠层电池。经

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