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期刊论文
碳化硅粉体的氧化动力学行为
碳化硅粉体的氧化动力学行为
来源 :中国陶瓷工业 | 被引量 : 0次 | 上传用户:winnerlb
【摘 要】
:
对颗粒碳化硅在温度范围1457-1675K下的氧化性能进行了研究.发现采用沉降曲线法获得的粒度数据遵循对数统计分布;从等温样品增重测量得到的相对重量比的数据与使用计算机模拟
【作 者】
:
朱练平
夏光华
【机 构】
:
景德镇陶瓷职工大学333000,景德镇陶瓷学院333001
【出 处】
:
中国陶瓷工业
【发表日期】
:
2002年6期
【关键词】
:
沉降曲线法
计算机模拟
碳化硅粉体
氧化动力学
陶瓷窑具
SiC powder
oxidation behavior
kinetics
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对颗粒碳化硅在温度范围1457-1675K下的氧化性能进行了研究.发现采用沉降曲线法获得的粒度数据遵循对数统计分布;从等温样品增重测量得到的相对重量比的数据与使用计算机模拟得到的最佳速度常数相吻合.
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