【摘 要】
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在微重力条件下用浮区结晶法生长半导体单晶硅独具优势,但自由界面的温度梯度所诱发的热毛细对流对晶体质量的影响却更为突出.文中提出一种抑制热毛细对流的新方法--表面截割
【机 构】
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重庆大学,四川省电力试验研究设计院
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在微重力条件下用浮区结晶法生长半导体单晶硅独具优势,但自由界面的温度梯度所诱发的热毛细对流对晶体质量的影响却更为突出.文中提出一种抑制热毛细对流的新方法--表面截割法,即通过适当改变自由表面的状况来抑制热毛细对流;在建立了半浮区(液桥)热毛细对流的数学模型的基础上,利用有限元法对不同截割方式下的流场、温度场做了数值模拟分析.结果表明,表面截割对浮区内的热毛细对流有很好的抑制作用,适当增加截割次数,可使热毛细对流削弱70%以上.
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