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静电放电(electrostatic discharge, ESD)是造成大多数的集成电路(integrated circuits, ICs)或电子系统受到过度电性应力(electrical overstress,EOS)破坏的主要原因.而HBM(human boby model)是ESD破坏IC的最常见的一种方式.因此要在IC中加入相关的保护电路.对一种GCNMOS(gate-couple NMOS)的保护电路进行详细的分析与测试.