【摘 要】
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根据标准晶格模型理论,在高应力作用下,岩石的Si-O键最外层电子将被挤入晶格间隙里,松散外逸的电子云在电场中将产生直流电流(DC),进而吸收电磁波,转换成交流电流(AC)。直流
【机 构】
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李四光纪念馆,中国地质科学院地质力学研究所
【基金项目】
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地质力学研究所基本科研业务费项目(DZLXJK201605).
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根据标准晶格模型理论,在高应力作用下,岩石的Si-O键最外层电子将被挤入晶格间隙里,松散外逸的电子云在电场中将产生直流电流(DC),进而吸收电磁波,转换成交流电流(AC)。直流电流来源于量子力学穿隧效应电子和断键电子。穿隧效应电子的形成过程和原理:氧原子的最外电子被束缚在浅位能井(shallow potential well)(0.38 V),当高应力作用时,电子吸收部分能量,增加其动能,虽然这种轻微的动能增加不足以使电子克服并跳出它的位能井(potential well),但它足以增加穿过井壁(well
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