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采用射频等离子体增强的气相沉积法,以硅烷和乙烯为原料,在常温下成功的合成了碳化硅薄膜.对于该条件下合成的碳化硅薄膜的结构特征,采用SEM、TEM、XRD、IR等手段进行了分析;分析结果表明我们的样品是以碳硅键为主的薄膜.
常温下采用射频等离子体法合成碳化硅膜
【摘 要】
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采用射频等离子体增强的气相沉积法,以硅烷和乙烯为原料,在常温下成功的合成了碳化硅薄膜.对于该条件下合成的碳化硅薄膜的结构特征,采用SEM、TEM、XRD、IR等手段进行了分析;
【机 构】
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大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024
【出 处】
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真空
【发表日期】
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2005年2期
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