碳化硅超细粉的制备新法

来源 :中国粉体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liaotianeryi
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用一种新的方法——双重加热法制备了直径在50~6 0nm范围内的SiC超细粉,用化学分析方法、X射线衍射、透射电子显微镜等手段对 SiC超细粉进行了表征。研究结果表明,用双重加热法制备SiC超细粉的最佳温度为1 350℃,恒温时间为60min,SiC超细粉的产率可达98%(质量分数)左右。
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