【摘 要】
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叙述了采用国产 MBE 装置,在 GaAs 或 InSb 衬底上生长 InSb,InAsSb薄膜材料一些基础研究工作。采用二步生长法在 GaAs 衬底上生长优质 InSb 薄膜,厚度4.8μm,其室温迁移率达
【机 构】
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重庆光电技术研究所; 重庆光电技术研究所 永川 632163; 永川 632163;
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叙述了采用国产 MBE 装置,在 GaAs 或 InSb 衬底上生长 InSb,InAsSb薄膜材料一些基础研究工作。采用二步生长法在 GaAs 衬底上生长优质 InSb 薄膜,厚度4.8μm,其室温迁移率达到4.3×104cm2V·s,载流子浓度为2.4×1018cm-3,77K 时载流子浓度为7.49×1015cm-3;并在生长各种类型 InAsSb 超晶格材料的基础上,首次生长了 InAs0·05Sb0·95/InSb 应变层超晶格结构材料,其周期厚度为21nm,InSb 应变层与 InSb 层之间的共格度为0.65,本文还将叙述制作 InAsSb 长波红外探测器的具体工艺及其一些想法。
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