【摘 要】
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采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法，计算了In2O3电子结构和光学线性响应函数，系统研究了In2O3电子结构与光学性质的内在关系．利用计算的能带结构和态密
【机 构】
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中国科学院西安光学精密机械研究所,延安大学物理与电子信息学院,西北大学信息科学与技术学院
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采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法，计算了In2O3电子结构和光学线性响应函数，系统研究了In2O3电子结构与光学性质的内在关系．利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的In2O3材料的能量损失函数、介电函数、反射图谱，根据电荷密度差分图分析了In2O3材料的化学和电学特性．研究结果表明In2O3光学透过率在可见光范围内高达85％，可作为优异的透明导电薄膜材料．同时，计算结果为我们制备基于In2O3透明导电材料的设计与大规模应用提供了理论依据，也为监测和控制这一类透明导电
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