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华盛顿大学宣布他们已经研制出世上最薄的LED，其只有三个原子的厚度，是目前已有技术能做到的最薄LED了。其重点成份为二硒化钨（tungsten diselenide），是已知最薄的半导体。一片这样的物料只有传统LED不到十分之一的厚度,但依然可以发出可见的亮度。另外，它也很有弹性和坚固的,理论上，它可以应用于光学电路和纳米激光器等讲求细小的科技上,同时，它也当然有潜力用在现时斗薄斗轻的行动装置上吧，特别是最近热门的可穿戴式装置。