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对氮化镓（InGaN／GaN）型MQW（多量子阱）结构的蓝宝石衬底LED（发光二极管）受自发和压电极化效应的影响进行了研究。为了分析LED的输出特性，利用MATLAB软件对传统水平结构的InGaN／GaN型MQw蓝光LED芯片进行了模拟。研究表明，LED各个界面极化电荷同比例增加能稍微改善LED的电学特性，但却显著降低了LED的光输出功率和内量子效率，这主要是由于界面电荷改变了能带结构，阻碍了空穴的扩散与漂移，降低了辐射复合系数。可以通过改变位错密度来降低极化电荷对LED的影响，改善LED的性能。