PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究

来源 :中国微米纳米技术第七届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：akuan

【摘要】

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　　本文通过原子力显微镜和台阶仪观察测试PECVD氮化硅薄膜的表面形貌及其在HF缓冲液中的被腐蚀速率,研究了用SiH4和NH3作反应气体时,影响PECVD氮化硅薄膜均匀性、致密性、

【作者】

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【机构】

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国防科学技术大学,长沙,410073

【出处】

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中国微米纳米技术第七届学术年会

【发表日期】

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2005年8期

【关键词】

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　　本文通过原子力显微镜和台阶仪观察测试PECVD氮化硅薄膜的表面形貌及其在HF缓冲液中的被腐蚀速率,研究了用SiH4和NH3作反应气体时,影响PECVD氮化硅薄膜均匀性、致密性、淀积速率、被腐蚀速率的几个关键因素,并对一些常用的工艺参数进行了总结.

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