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通过RF磁控溅射在Si（100）基片上制备了ZnO薄膜，并研究了磁控溅射中各生长参数，如衬底温度、氧分压及后处理工艺等因素对ZnO薄膜微结构、表面形貌与结晶取向的影响。结果表明：溅射温度和氧分压对薄膜的微结构与择优取向有很大的影响，并对不同的溅射工艺进行了分析比较，从而确定了最佳溅射及后处理条件：RF溅射温度小于300℃，功率为50W，沙（Ar：O2）为20：5，退火温度550～600℃，并获得了c轴择优取向的ZnO薄膜。