【摘 要】
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作为制备晶体硅太阳电池的核心技术,扩散后方块电阻的均匀性显得非常重要。通过对现有晶体硅太阳电池扩散工艺进行改进,提出一种间断性变温磷扩散工艺。此工艺应用于物理冶金
【机 构】
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内蒙古日月太阳能科技有限责任公司,内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室
【基金项目】
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呼和浩特市太阳能电池产业化工程研究中心创新能力建设项目（2014150101000015）,呼和浩特市“十二五”重大科技专项（2012150103000167）
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作为制备晶体硅太阳电池的核心技术,扩散后方块电阻的均匀性显得非常重要。通过对现有晶体硅太阳电池扩散工艺进行改进,提出一种间断性变温磷扩散工艺。此工艺应用于物理冶金多晶硅太阳电池制备中,所形成的p-n结表面杂质浓度低,杂质分布均匀,提高了硅片少子寿命和方块电阻的均匀性,有利于电子的收集,减少了太阳电池因复合造成的效率损失,从而提高电池片最终光电转换效率。与现有工艺相比,减少了三氯氧磷、干氧的使用量,缩短了工艺时间,节约了生产成本。
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