N型6H-SiC MOS电容的电学特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：scv100

【摘要】

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在可商业获得的N型6H-SiC晶片上,通过化学气相淀积,进行同质外延生长,在此结构材料上,制备MOS电容.详细测量并分析了6H-SiCMOS电容的电学特性,其有效电荷密度为4.3×1010cm-2

【作者】

：

王姝睿刘忠立梁桂荣梁秀芹马红芝

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

碳化硅 MOS电容

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在可商业获得的N型6H-SiC晶片上,通过化学气相淀积,进行同质外延生长,在此结构材料上,制备MOS电容.详细测量并分析了6H-SiCMOS电容的电学特性,其有效电荷密度为4.3×1010cm-2;SiC与SiO2之间的势垒高度估算为2.67eV;SiC热生长SiO2的本征击穿场强(用累计失效率50%时的场强来计算)为12.4MV/cm,已达到了制作器件的要求.

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