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阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge／Si纳米岛发光效率的机理．通过3DFDTD方法计算出在平板厚度为300nm时，谐振波长随a和r／a变化的规律，即当给定r／a，h时，波长随晶格常数成次线性增加；当给定a，h时，波长随r／a的增加而减小．并从理论上给予分析．
nc—Ge／Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析
【摘 要】
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阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge／Si纳米岛发光效率的机理．通过3DFDTD方法计算出在平板厚度为300nm时，谐振波长随a和r／a变化的规律，即当给定r／a，h时，波长随晶格常数成次线性
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年12期
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