4H-SiC npn BJT特性研究

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【摘要】

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基于二维器件仿真软件Medici对4H-SiC双极型晶体管(BJT)进行了建模,包括能带模型、能带窄变模型、迁移率模型、产生复合模型和不完全电离模型,为4H-SiC的工艺与器件提供了设

【出处】

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电子学报

【发表日期】

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2003年z1期

【关键词】

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4H-SIC 物理模型双极型晶体管 H-SiC physical models bipolar junction transistor

【基金项目】

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国家重大基础研究项目(973)(No.2002CB311904)

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基于二维器件仿真软件Medici对4H-SiC双极型晶体管(BJT)进行了建模,包括能带模型、能带窄变模型、迁移率模型、产生复合模型和不完全电离模型,为4H-SiC的工艺与器件提供了设计平台.在此基础上对4H-SiC BJT器件进行了模拟研究.结果显示,器件基极电流IB=1μA/μm时发射极电流增益β为32.4,击穿电压BVCEO大于800V,截止频率fT接近1GHZ.

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