基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：game1980

【摘要】

：

利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表

【作者】

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闾锦陈裕斌左正施毅濮林郑有炓

【机构】

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南京大学物理系固体微结构国家实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年4期

【关键词】

：

异质纳米晶非易失浮栅存储器电容-电压特性自组织生长选择化学刻蚀 hetero-nanocrystals nonvolatile floating-ga

【基金项目】

：

国家自然科学基金（批准号：60225014,90606021,60676006）和国家重点基础研究发展规划（批准号：2006CB0L1000）资助项目

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利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.

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