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利用激光脉冲沉积（PLD）方法制备了沉积于硅基片上的掺杂过渡金属的非晶碳膜结构Fex-C1-x/Si。Fex-C1-x/Si的磁电阻（MR）可正可负，随温度而变化。当温度T〈258K时，Fe0．011-C0.989／Si的MR为负值；当258K〈T〈340K时，该材料的MR为正值，在室温磁场为1T时，该材料的正MR可以大于20％。且在不同的温度范围中，该材料的MR和外加磁场的依存关系呈现出不同的特点：在T=280和300K时，当磁场小于1T时，MR随磁场的增加而快速增加，之后随磁场的继续增加MR增加开始变