多晶硅太阳电池的氮化硅钝化

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【摘要】

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全面介绍了等离子增强化学汽相沉积(PECVD)纳米氮化硅(SiNx:H)光电薄膜的技术发展及现状,分析了PECVD法沉积的SiNx:H薄膜对多晶硅太阳电池的体钝化和表面钝化机理.

【作者】

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【机构】

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西安交通大学太阳能研究所,上海交通大学纳米研究院

【出处】

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半导体情报

【发表日期】

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2001年6期

【关键词】

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