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在点电荷模型基础上，考虑屏蔽效应以及电子云膨胀效应，计算了掺杂的CaF2与SrF2晶体中Ce^3＋离子的晶场能级，计算结果较前人结果有较大改进，绝大部分能级与实验值吻合较好．研究表明，Ce^3＋离子4f电子云膨胀效应和5s，5p电子壳层屏蔽效应在CaF2和SrF2中都不能忽略．
掺杂CaF2与SrF2中Ce^3＋离子晶场能级的计算
【摘 要】
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在点电荷模型基础上，考虑屏蔽效应以及电子云膨胀效应，计算了掺杂的CaF2与SrF2晶体中Ce^3＋离子的晶场能级，计算结果较前人结果有较大改进，绝大部分能级与实验值吻合较好．研究表明，Ce
【机 构】
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中国矿业大学理学院
【出 处】
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徐州师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2009年3期
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