【摘 要】
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目的:比较平片无张力疝修补术与腹腔镜腹膜前间隙疝修补术治疗腹股沟疝患者的效果.方法:选取104例腹股沟疝患者为研究对象,按照随机数字表法分为观察组与对照组各52例.对照组采用平片无张力疝修补术治疗,观察组采用腹腔镜腹膜前间隙疝修补术治疗,比较两组手术相关指标(手术时间、术中失血量、术后首次下床时间、胃肠功能恢复时间和住院时间)水平、术后视觉模拟评分法(VAS)评分、并发症发生率和治疗满意度.结果:观察组手术时间、术后首次下床时间、胃肠功能恢复时间和住院时间均短于对照组,术中失血量低于对照组,差异有统计学意
【机 构】
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河南省遂平县中医院外一科,河南 驻马店 463100
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目的:比较平片无张力疝修补术与腹腔镜腹膜前间隙疝修补术治疗腹股沟疝患者的效果.方法:选取104例腹股沟疝患者为研究对象,按照随机数字表法分为观察组与对照组各52例.对照组采用平片无张力疝修补术治疗,观察组采用腹腔镜腹膜前间隙疝修补术治疗,比较两组手术相关指标(手术时间、术中失血量、术后首次下床时间、胃肠功能恢复时间和住院时间)水平、术后视觉模拟评分法(VAS)评分、并发症发生率和治疗满意度.结果:观察组手术时间、术后首次下床时间、胃肠功能恢复时间和住院时间均短于对照组,术中失血量低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);术后1、3 d,观察组VAS评分明显低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);观察组并发症发生率为5.77％,明显低于对照组的21.15％,差异有统计学意义(P<0.05);观察组治疗满意度为98.08％,明显高于对照组的76.92％,差异有统计学意义(P<0.05).结论:腹腔镜腹膜前间隙疝修补术治疗腹股沟疝患者可改善手术相关指标水平,降低VAS评分和并发症发生率,以及提高治疗满意度,效果优于平片无张力疝修补术.
其他文献
降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一.采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不同能量的脉冲激光进行退火实验,利用X射线衍射(XRD)和探针台对晶圆背面镍硅合金进行测量分析,得出最佳能量为3.6 J/cm2.退火后采用扫描电子显微镜(SEM)观察晶圆背面碳团簇,针对背面的碳团簇问题,在Ar2气氛下对晶圆进行了表面处理,使用SEM和探针台分别对两组样品的表面形貌和电压-电流特性进行了对比分析.实验结果表明,通过表面处理可以有效降低表面的碳含量,并
重点探究了直径200 mm超厚层硅片滑移线的影响因素以及控制方法.使用平板硅外延炉加工超厚层外延片,并使用颗粒测试仪SP1和光学干涉显微镜表征滑移线.从热应力是滑移线的主要成因出发,通过对衬底和基座背面凹槽的设计以及升温曲线的控制这三个方面改善了滑移线.结果 表明,随着衬底倒角背面幅长和基座背面凹槽深度的增加,外延片的滑移线长度均呈现先减小后增大的趋势.衬底倒角最佳背面幅长为500 μm,基座背面凹槽的最佳深度为0.80 mm.同时,在873 K下恒温3 min的升温工艺可以减少厚层硅外延片的滑移线.