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CMOS工艺价格低廉且兼容基带工艺,是单片集成电路的理想材料。根据现代无线通信系统所采用的调制方式对功率放大器的性能要求,重点介绍了功率放大器的效率和线性增强技术,比较了相应技术间的优点和缺点,最后阐述包络放大器的发展趋势及其在LTE（4G）的应用。
CMOS射频功率放大器高效率和高线性度研究进展
【摘 要】
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CMOS工艺价格低廉且兼容基带工艺,是单片集成电路的理想材料。根据现代无线通信系统所采用的调制方式对功率放大器的性能要求,重点介绍了功率放大器的效率和线性增强技术,比
【机 构】
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广东工业大学信息工程学院
【出 处】
：
电子技术应用
【发表日期】
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2015年11期
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